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9游会三星电子与ASML韩国合建半导体研发中心 预计2027年引进High-NA EUV设备

浏览: 次    发布日期:2024-02-05

  9游会2月5日,三星电子与荷兰光刻机巨头ASML宣布,双方将在韩国共同投资建设一座半导体先进制程研发中心,预计自2027年起引进High-NA极紫外光(EUV)设备。该研发中心的建立是为了推动High-NA EUV技术的发展9游会,总投资金额达到1兆韩元。由于需要经过相关许可流程,研发中心最快将于2024年12月或2025年动工9游会。

  据悉,High-NA EUV技术是下一代半导体制程的关键,能够实现更高的集成度和性能。三星表示,目前High-NA EUV技术仍处于审查推出时机的阶段,未来将根据市场状况及客户需求来决定发展方向。此次合作将有助于提升双方在全球半导体产业的竞争力9游会,推动半导体技术的进步。