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9游会晶盛机电获19家机构调研:公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺。公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发相继成功开发6英寸、8晶体和衬底片(附调研问答)

浏览: 次    发布日期:2023-12-06

  9游会晶盛机电300316)12月5日发布投资者关系活动记录表,公司于2023年12月4日接受19家机构调研,机构类型为QFII、其他、基金公司、证券公司、阳光私募机构。 投资者关系活动主要内容介绍:

  答:公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发,通过研发团队的技术攻关,公司于2018年成功研发出6英寸碳化硅晶体生长炉,于2020年建立长晶和加工研发实验线月,公司正式启动进入了碳化硅衬底项目的量产阶段。

  答:2023年11月4日,公司举行了“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式,旨在加快半导体材料端的关键核心技术攻关,实现国产化替代,这一举措标志着晶盛机电在半导体材料领域的技术实力和市场竞争力将进一步提升。目前公司正在积极推进项目进度与产能提升。

  答:目前公司6英寸衬底片已通过多家下游企业验证,并实现批量销售,8英寸衬底片处于下游企业验证阶段。

  答:大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。 碳化硅材料因其技术含量高而呈现难度大、良率低、制作成本高的特点。“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅,对生产工艺有着极其苛刻的要求。目前先进技术及主要市场均被国外厂商占据。 公司将利用自身的技术和资源优势,加快碳化硅衬底片的关键核心技术攻关和产业化,进一步缩小国内外技术差距,保障我国碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控,加速推进第三代半导体材料国产化进程。

  答:公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺。公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发,相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片,成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂9游会、气相原料分布等难点问题,是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。 碳化硅晶体生长和加工技术自主可控是碳化硅产业的核心竞争力。公司始终坚持“打造半导体材料装备领先企业,发展绿色智能高科技制造产业”的初心使命,通过自主开发的设备、热场和工艺技术,不断延伸产品系列。

  答:第三代半导体材料碳化硅具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度9游会、高热导率、高抗辐射能力等特点。采用碳化硅材料制作的器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,在诸多领域有着不可替代的优势,被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。

  答:在新能源汽车和光伏逆变器等领域的蓬勃发展驱动下,全球碳化硅市场规模快速提升。据Yole预测,2027年全球碳化硅市场规模可达62.97亿美元。根据中商产业研究院数据,2022年全球导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别5.12和2.42亿美元,预计2023年市场规模将分别达到6.84和2.81亿美元。 2022-2025年,导电型碳化硅衬底复合增长率达34%;

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